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1.2GHz高出力パワーモジュール RA18H1213G 
商品番号:RA18H1213G |ポイント対象商品です
メーカー名:MITUBISHI|型番:RA18H1213G
インターネット価格 \7,600(税別)  \8,208(税込み)
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個 

新型の1.2GHz用高出力パワーモジュール

FEATURES
• Enhancement-Mode MOSFET Transistors
(IDD@0 @ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>18W, hT>20% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=200mW
• Broadband Frequency Range: 1.24-1.30GHz
• Low-Power Control Current IGG=1mA (typ) at VGG=5V
• Module Size: 66 x 21 x 9.88 mm
• Linear operation is possible by setting the quiescent drain
current with the gate voltage and controlling the output power

実験等、詳しくは下記のホームページをご覧下さい。
1200MHzMosモジュールアンプの製作

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